- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HY19P03B
HY19P03B دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HY19P03B |
|---|---|
| حجم فایل | 62.411 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت HY19P03B |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HUAYI HY19P03B
- Power Dissipation (Pd): 96W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 90A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,45A
- Package: TO-263
- Manufacturer: HUAYI
